SVF8N65RDTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF8N65RDTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVF8N65RDTR datasheet

 ..1. Size:384K  silan
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SVF8N65RDTR

SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

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SVF8N65RDTR

SVF8N65T/F 8A 650V N SVF8N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS AC-D

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SVF8N65RDTR

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

 8.2. Size:336K  silan
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SVF8N65RDTR

SVF8N60F 8A 600V N 2 SVF8N60F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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