SVF8N70FJH Todos los transistores

 

SVF8N70FJH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF8N70FJH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVF8N70FJH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  silan
 svf8n70fjh.pdf pdf_icon

SVF8N70FJH

SVF8N70FJH 8A700V N 2SVF8N70FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 6.1. Size:368K  silan
 svf8n70f svf8n70k svf8nn70fj.pdf pdf_icon

SVF8N70FJH

SVF8N70F/K/FJ 8A700V N 2SVF8N70F/K/FJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 9.1. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8N70FJH

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 9.2. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8N70FJH

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT

 

 
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