SVFP18N60FJD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP18N60FJD 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVFP18N60FJD datasheet
svfp14n60cfj.pdf
SVFP14N60CFJ 14A 600V N 2 SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.
Otros transistores... SVF8NN70FJ, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, 2SK3878, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5
History: CJP08N65 | AFN12N60T220FT | NTMFS4941NT1G | CJP85N80 | CJP71N90 | SVF8N70F | NTMFS4982NF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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