SVFP18N60FJD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP18N60FJD
Código: P18N60FJD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVFP18N60FJD
SVFP18N60FJD Datasheet (PDF)
svfp18n60fjd.pdf
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp10n60cfjd.pdf
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svfp12n60cfjd.pdf
SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n65cfjd.pdf
SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n65cfjd.pdf
SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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