SVFP18N60FJD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP18N60FJD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVFP18N60FJD
SVFP18N60FJD Datasheet (PDF)
svfp18n60fjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp10n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svfp12n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n65cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n65cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .