Справочник MOSFET. SVFP18N60FJD

 

SVFP18N60FJD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVFP18N60FJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVFP18N60FJD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP18N60FJD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  silan
svfp18n60fjd.pdfpdf_icon

SVFP18N60FJD

SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:321K  silan
svfp14n60cfjd.pdfpdf_icon

SVFP18N60FJD

SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:321K  silan
svfp10n60cfjd.pdfpdf_icon

SVFP18N60FJD

SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.3. Size:318K  silan
svfp14n60cfj.pdfpdf_icon

SVFP18N60FJD

SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

Другие MOSFET... SVF8NN70FJ , SVF9N90F , SVFP10N60CFJD , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , IRFP260 , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ , SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 .

History: JCS2N70CH | APM4500 | IXTA28P065T | UF640G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.