Справочник MOSFET. SVFP18N60FJD

 

SVFP18N60FJD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVFP18N60FJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVFP18N60FJD

 

 

SVFP18N60FJD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  silan
svfp18n60fjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:321K  silan
svfp14n60cfjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:321K  silan
svfp10n60cfjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.3. Size:318K  silan
svfp14n60cfj.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 9.4. Size:322K  silan
svfp12n60cfjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.5. Size:320K  silan
svfp12n65cfjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.6. Size:320K  silan
svfp14n65cfjd.pdf

SVFP18N60FJD SVFP18N60FJD

SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top