SVFP4N60CADTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP4N60CADTR
Código: P4N60CAD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 77 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SVFP4N60CADTR Datasheet (PDF)
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SVFP4N60CAMJ/D 4A600V N 2SVFP4N60CAMJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
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