SVFP4N60CADTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP4N60CADTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVFP4N60CADTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP4N60CADTR даташит

 ..1. Size:422K  silan
 svfp4n60camj svfp4n60cadtr.pdf pdf_icon

SVFP4N60CADTR

SVFP4N60CAMJ/D 4A 600V N 2 SVFP4N60CAMJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие IGBT... SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, STP75NF75, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3