SVFP4N60CADTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP4N60CADTR
Маркировка: P4N60CAD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 77 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVFP4N60CADTR
SVFP4N60CADTR Datasheet (PDF)
..1. Size:422K silan
svfp4n60camj svfp4n60cadtr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svfp4n60camj svfp4n60cadtr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP4N60CAMJ/D 4A600V N 2SVFP4N60CAMJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .