SVFP4N60CAMJ Todos los transistores

 

SVFP4N60CAMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVFP4N60CAMJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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SVFP4N60CAMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  silan
svfp4n60camj svfp4n60cadtr.pdf

SVFP4N60CAMJ
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SVFP4N60CAMJ/D 4A600V N 2SVFP4N60CAMJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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