SVFP7N65CDTR Todos los transistores

 

SVFP7N65CDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVFP7N65CDTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVFP7N65CDTR

 

SVFP7N65CDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  silan
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf

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SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 7.1. Size:321K  silan
svfp7n60cfjd.pdf

SVFP7N65CDTR
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SVFP7N60CFJD 7A600V N 2SVFP7N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf

SVFP7N65CDTR
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SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3

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