Справочник MOSFET. SVFP7N65CDTR

 

SVFP7N65CDTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVFP7N65CDTR
   Маркировка: P7N65CD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SVFP7N65CDTR

 

 

SVFP7N65CDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  silan
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf

SVFP7N65CDTR
SVFP7N65CDTR

SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 7.1. Size:321K  silan
svfp7n60cfjd.pdf

SVFP7N65CDTR
SVFP7N65CDTR

SVFP7N60CFJD 7A600V N 2SVFP7N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:388K  silan
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf

SVFP7N65CDTR
SVFP7N65CDTR

SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top