SVFP7N65CDTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP7N65CDTR
Маркировка: P7N65CD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVFP7N65CDTR
SVFP7N65CDTR Datasheet (PDF)
..1. Size:322K silan
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf
SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
8.1. Size:388K silan
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf
SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD