SVG032R4NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG032R4NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1419 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
- Selección de transistores por parámetros
SVG032R4NL5 Datasheet (PDF)
svg032r4nl5.pdf

SVG032R4NL5 100A30V N SD1SVG032R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg032r4nl3.pdf

SVG032R4NL3 100A30V N SVG032R4NL3 N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FQP6N60C | RRL025P03 | LSF60R380HT | FS12UM-5 | WM02DN08D | 7N80G-TF3-T | IPW60R280E6
History: FQP6N60C | RRL025P03 | LSF60R380HT | FS12UM-5 | WM02DN08D | 7N80G-TF3-T | IPW60R280E6



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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