SVG032R4NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG032R4NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1419 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVG032R4NL5 MOSFET
SVG032R4NL5 Datasheet (PDF)
svg032r4nl5.pdf
SVG032R4NL5 100A30V N SD1SVG032R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg032r4nl3.pdf
SVG032R4NL3 100A30V N SVG032R4NL3 N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svg036r8nl5.pdf
SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVFP4N60CAMJ , SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , AON7410 , SVG036R3NL3 , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 , SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 .
History: AP18T10AGH-HF | PSMN1R2-25YLC | AONS36312
History: AP18T10AGH-HF | PSMN1R2-25YLC | AONS36312
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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