SVG032R4NL5 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVG032R4NL5 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1419 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVG032R4NL5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVG032R4NL5 даташит
svg032r4nl3.pdf
SVG032R4NL3 100A 30V N SVG032R4NL3 N MOS S D 1 8 LVMOS S 7 D 2 D S 3 6
svg036r8nl5.pdf
SVG036R8NL5 24A 30V N S D 1 SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6
Другие IGBT... SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SPP20N60C3, SVG036R3NL3, SVG036R5NL2, SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, SVG041R4NL5, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124






