SVG032R4NL5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG032R4NL5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1419 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: PDFN8-5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG032R4NL5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG032R4NL5 даташит

 ..1. Size:438K  silan
svg032r4nl5.pdfpdf_icon

SVG032R4NL5

 4.1. Size:433K  silan
svg032r4nl3.pdfpdf_icon

SVG032R4NL5

SVG032R4NL3 100A 30V N SVG032R4NL3 N MOS S D 1 8 LVMOS S 7 D 2 D S 3 6

 9.1. Size:379K  silan
svg036r5nl2.pdfpdf_icon

SVG032R4NL5

SVG036R5NL2 13A 30V N D D 1 6 SVG036R5NL2 N MOS LVMOS D D 2 5

 9.2. Size:411K  silan
svg036r8nl5.pdfpdf_icon

SVG032R4NL5

SVG036R8NL5 24A 30V N S D 1 SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

Другие IGBT... SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SPP20N60C3, SVG036R3NL3, SVG036R5NL2, SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, SVG041R4NL5, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5