SVG036R3NL3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG036R3NL3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-3.3X3.3X
Búsqueda de reemplazo de SVG036R3NL3 MOSFET
SVG036R3NL3 Datasheet (PDF)
svg036r3nl3.pdf

SVG036R3NL3 24A30V N SD1SVG036R3NL3 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg031r1nl5.pdf

SVG031R1NL5 229A30V N S D1SVG031R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , IRF9540N , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 , SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 .
History: IXTT10P50 | APM9926AK | MTW33N10E | APT8018L2VFRG | PMV30UN2 | INK0210AC1
History: IXTT10P50 | APM9926AK | MTW33N10E | APT8018L2VFRG | PMV30UN2 | INK0210AC1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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