SVG036R3NL3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG036R3NL3
Маркировка: 36R3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-3.3X3.3X
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG036R3NL3 Datasheet (PDF)
svg036r3nl3.pdf

SVG036R3NL3 24A30V N SD1SVG036R3NL3 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg031r1nl5.pdf

SVG031R1NL5 229A30V N S D1SVG031R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SVG083R6NAL5 | CEF07N7 | SWP180N75A | BUK7M10-40E | CEB6060N
History: SVG083R6NAL5 | CEF07N7 | SWP180N75A | BUK7M10-40E | CEB6060N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet