SVG036R5NL2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG036R5NL2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 498 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN6-2X2
Búsqueda de reemplazo de SVG036R5NL2 MOSFET
SVG036R5NL2 Datasheet (PDF)
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg036r3nl3.pdf

SVG036R3NL3 24A30V N SD1SVG036R3NL3 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg031r1nl5.pdf

SVG031R1NL5 229A30V N S D1SVG031R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , SVG036R3NL3 , IRFB3607 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 , SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 .
History: CS4N100F | NTD4804N-1G | CS3N80BL | TPB80R300C | DH1K1N10 | HFH19N60 | SWP058R75E7T
History: CS4N100F | NTD4804N-1G | CS3N80BL | TPB80R300C | DH1K1N10 | HFH19N60 | SWP058R75E7T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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