SVG036R5NL2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG036R5NL2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 498 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: DFN6-2X2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG036R5NL2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG036R5NL2 даташит

 ..1. Size:379K  silan
svg036r5nl2.pdfpdf_icon

SVG036R5NL2

SVG036R5NL2 13A 30V N D D 1 6 SVG036R5NL2 N MOS LVMOS D D 2 5

 7.1. Size:411K  silan
svg036r8nl5.pdfpdf_icon

SVG036R5NL2

SVG036R8NL5 24A 30V N S D 1 SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

 7.2. Size:410K  silan
svg036r3nl3.pdfpdf_icon

SVG036R5NL2

 9.1. Size:436K  silan
svg031r1nl5.pdfpdf_icon

SVG036R5NL2

Другие IGBT... SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SVG032R4NL5, SVG036R3NL3, K4145, SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, SVG041R4NL5, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5, SVG062R8NL5, SVG063R5NL5