SVG036R8NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG036R8NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
- Selección de transistores por parámetros
SVG036R8NL5 Datasheet (PDF)
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg036r3nl3.pdf

SVG036R3NL3 24A30V N SD1SVG036R3NL3 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg031r1nl5.pdf

SVG031R1NL5 229A30V N S D1SVG031R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SVS65R380DD4TR | WVM13N50 | SL3N06 | 2SJ665 | FDMQ8203 | AOB418
History: SVS65R380DD4TR | WVM13N50 | SL3N06 | 2SJ665 | FDMQ8203 | AOB418



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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