SVG036R8NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG036R8NL5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG036R8NL5 Datasheet (PDF)
..1. Size:411K silan
svg036r8nl5.pdf
svg036r8nl5.pdf
SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
7.2. Size:410K silan
svg036r3nl3.pdf
svg036r3nl3.pdf
SVG036R3NL3 24A30V N SD1SVG036R3NL3 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
9.1. Size:436K silan
svg031r1nl5.pdf
svg031r1nl5.pdf
SVG031R1NL5 229A30V N S D1SVG031R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: BUK7M9R5-40H | UT3N01Z | CEB84A4 | SVG103R0NP7 | SVS11N60SD2 | SVGP104R5NASTR | HUF75645S3S
History: BUK7M9R5-40H | UT3N01Z | CEB84A4 | SVG103R0NP7 | SVS11N60SD2 | SVGP104R5NASTR | HUF75645S3S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet