SVG041R2NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG041R2NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00124 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
- Selección de transistores por parámetros
SVG041R2NL5 Datasheet (PDF)
svg041r2nl5.pdf
SVG041R2NL5 150A40V N S D1SVG041R2NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r4nl5.pdf
SVG041R4NL5 160A40V N S D1SVG041R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r7nl5.pdf
SVG041R7NL5 144A40V N S D1SVG041R7NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg042r1nl5.pdf
SVG042R1NL5 129A40V N S D1SVG042R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MTC2804Q8 | CSD19532Q5B | 2SK3430-Z | IPG20N06S2L-50A | IPW90R340C3 | NP84N04MHE | IPG20N10S4L-22A
History: MTC2804Q8 | CSD19532Q5B | 2SK3430-Z | IPG20N06S2L-50A | IPW90R340C3 | NP84N04MHE | IPG20N10S4L-22A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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