SVG041R2NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG041R2NL5
Código: 041R2NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00124 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG041R2NL5
SVG041R2NL5 Datasheet (PDF)
svg041r2nl5.pdf
SVG041R2NL5 150A40V N S D1SVG041R2NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r4nl5.pdf
SVG041R4NL5 160A40V N S D1SVG041R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r7nl5.pdf
SVG041R7NL5 144A40V N S D1SVG041R7NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg042r1nl5.pdf
SVG042R1NL5 129A40V N S D1SVG042R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg042r5nl5.pdf
SVG042R5NL5 108A40V N S D1SVG042R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SUD50N024-09P
History: SUD50N024-09P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100