SVG041R2NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVG041R2NL5
   Маркировка: 041R2NL5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   trⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00124 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам