SVG041R4NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG041R4NL5
Código: 041R4NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2123 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVG041R4NL5 MOSFET
SVG041R4NL5 Datasheet (PDF)
svg041r4nl5.pdf
SVG041R4NL5 160A40V N S D1SVG041R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r7nl5.pdf
SVG041R7NL5 144A40V N S D1SVG041R7NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg041r2nl5.pdf
SVG041R2NL5 150A40V N S D1SVG041R2NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg042r1nl5.pdf
SVG042R1NL5 129A40V N S D1SVG042R1NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
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History: IXTP08N100D2 | MDS1652ERUH
History: IXTP08N100D2 | MDS1652ERUH
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