SVG041R4NL5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG041R4NL5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: PDFN8-5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG041R4NL5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG041R4NL5 даташит

 ..1. Size:438K  silan
svg041r4nl5.pdfpdf_icon

SVG041R4NL5

 7.1. Size:447K  silan
svg041r7nl5.pdfpdf_icon

SVG041R4NL5

 7.2. Size:464K  silan
svg041r2nl5.pdfpdf_icon

SVG041R4NL5

 9.1. Size:475K  silan
svg042r1nl5.pdfpdf_icon

SVG041R4NL5

Другие IGBT... SVFP7N70MJ, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SVG032R4NL5, SVG036R3NL3, SVG036R5NL2, SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, 12N60, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5, SVG062R8NL5, SVG063R5NL5, SVG066R5NSA, SVG069R5NDTR, SVG069R5NMJ