SVG062R8NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG062R8NL5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 742 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de SVG062R8NL5 MOSFET
SVG062R8NL5 Datasheet (PDF)
svg062r8nl5.pdf
SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg066r5nsa.pdf
SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
svg063r5nl5.pdf
SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
Otros transistores... SVG036R3NL3 , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 , SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , AON7506 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL .
History: NCE30H11BG | IXFH170N10P | BRCS1C5P06MA | BLF6G15L-500H
History: NCE30H11BG | IXFH170N10P | BRCS1C5P06MA | BLF6G15L-500H
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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