SVG066R5NSA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG066R5NSA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 658 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: SOP8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SVG066R5NSA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SVG066R5NSA datasheet
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
SVG069R5ND(MJ)(T) 60A 60V N 2 SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1 3
Otros transistores... SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, SVG041R4NL5, SVG041R7NL5, SVG042R1NL5, SVG042R5NL5, SVG062R8NL5, SVG063R5NL5, CS150N03A8, SVG069R5NDTR, SVG069R5NMJ, SVG069R5NT, SVG075R5NT, SVG076R5NDTR, SVG076R5NKL, SVG076R5NS, SVG076R5NSTR
History: SVG042R1NL5
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor
