SVG066R5NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVG066R5NSA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 658 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SVG066R5NSA
SVG066R5NSA Datasheet (PDF)
svg066r5nsa.pdf

SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
svg063r5nl5.pdf

SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf

SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
svg062r8nl5.pdf

SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 , SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , IRLB4132 , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR .
History: PV609CA | SI2303CDS | IPW60R165CP | BLF6G10-160RN | STP20NM50 | VBMB165R07S | NP80N03CDE
History: PV609CA | SI2303CDS | IPW60R165CP | BLF6G10-160RN | STP20NM50 | VBMB165R07S | NP80N03CDE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor