SVG069R5NDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG069R5NDTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 63 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 54 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 432 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG069R5NDTR
SVG069R5NDTR Datasheet (PDF)
..1. Size:341K silan
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
9.1. Size:320K silan
svg066r5nsa.pdf
svg066r5nsa.pdf
SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
9.2. Size:409K silan
svg063r5nl5.pdf
svg063r5nl5.pdf
SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
9.3. Size:415K silan
svg062r8nl5.pdf
svg062r8nl5.pdf
SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HSU3006
