SVG069R5NDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG069R5NDTR
Código: 069R5ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 432 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG069R5NDTR
SVG069R5NDTR Datasheet (PDF)
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
svg066r5nsa.pdf
SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
svg063r5nl5.pdf
SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg062r8nl5.pdf
SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
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Liste
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