SVG069R5NDTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG069R5NDTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG069R5NDTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG069R5NDTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:341K silan
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf pdf_icon

SVG069R5ND(MJ)(T) 60A 60V N 2 SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1 3

9.1. Size:320K silan
svg066r5nsa.pdf pdf_icon

9.2. Size:409K silan
svg063r5nl5.pdf pdf_icon

9.3. Size:415K silan
svg062r8nl5.pdf pdf_icon