SVG075R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG075R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 663 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVG075R5NT MOSFET
SVG075R5NT Datasheet (PDF)
svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Otros transistores... SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , IRF1407 , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR .
History: NCE65N520D | P062ABDD | PJW1NA50 | SVF2N60CD | IRFS7534PBF | PSMN3R0-30YL | IRFH5106PBF
History: NCE65N520D | P062ABDD | PJW1NA50 | SVF2N60CD | IRFS7534PBF | PSMN3R0-30YL | IRFH5106PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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