SVG075R5NT - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG075R5NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG075R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 663 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG075R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG075R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  silan
 svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG075R5NT

SVG075R5NT 110A70V N 2SVG075R5NT N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:440K  silan
 svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG075R5NT

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , 20N50 , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR .

History: HM3N80 | GP2M010A065X

 

 
Back to Top

 


 
.