SVG076R5NDTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG076R5NDTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 479 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVG076R5NDTR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVG076R5NDTR datasheet

 9.1. Size:346K  silan
svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NDTR

Otros transistores... SVG042R5NL5, SVG062R8NL5, SVG063R5NL5, SVG066R5NSA, SVG069R5NDTR, SVG069R5NMJ, SVG069R5NT, SVG075R5NT, TK10A60D, SVG076R5NKL, SVG076R5NS, SVG076R5NSTR, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT