SVG076R5NDTR Todos los transistores

 

SVG076R5NDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG076R5NDTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 479 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVG076R5NDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  silan
svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG076R5NDTR

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NDTR

SVG075R5NT 110A70V N 2SVG075R5NT N MOS LVMOS 1

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | MTW32N20EG | IPI80CN10NG | IRFU9214

 

 
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