Справочник MOSFET. SVG076R5NDTR

 

SVG076R5NDTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG076R5NDTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 479 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVG076R5NDTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG076R5NDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  silan
 svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG076R5NDTR

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
 svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NDTR

SVG075R5NT 110A70V N 2SVG075R5NT N MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , IRFZ24N , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT .

History: IXTP102N15T | IXTP05N100P | IXTP08N120P

 

 
Back to Top

 


 
.