SVG076R5NSTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG076R5NSTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 479 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVG076R5NSTR datasheet

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SVG076R5NSTR

Otros transistores... SVG066R5NSA, SVG069R5NDTR, SVG069R5NMJ, SVG069R5NT, SVG075R5NT, SVG076R5NDTR, SVG076R5NKL, SVG076R5NS, 4N60, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT, SVG083R6NAL5, SVG085R9NT, SVG086R0NDTR