SVG076R5NSTR Todos los transistores

 

SVG076R5NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG076R5NSTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 479 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVG076R5NSTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  silan
 svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
 svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

SVG075R5NT 110A70V N 2SVG075R5NT N MOS LVMOS 1

Otros transistores... SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , 10N65 , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR .

History: SVG062R8NL5 | STW28NM50N | IRF1503S | 2SK3586-01 | IRFP354 | 2SK2804 | BUK7675-55A

 

 
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