SVG076R5NSTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG076R5NSTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 479 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG076R5NSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG076R5NSTR даташит

 ..1. Size:440K  silan
 svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

 9.1. Size:346K  silan
 svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

Другие IGBT... SVG066R5NSA, SVG069R5NDTR, SVG069R5NMJ, SVG069R5NT, SVG075R5NT, SVG076R5NDTR, SVG076R5NKL, SVG076R5NS, 4N60, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT, SVG083R6NAL5, SVG085R9NT, SVG086R0NDTR