SVG076R5NSTR - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG076R5NSTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG076R5NSTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 479 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG076R5NSTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG076R5NSTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  silan
 svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:346K  silan
 svg075r5nt.pdf pdf_icon

SVG076R5NSTR

SVG075R5NT 110A70V N 2SVG075R5NT N MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , 2SK3568 , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR .

History: HY1904V | RSJ400N06FRA

 

 
Back to Top

 


 
.