SVG087R0NT Todos los transistores

 

SVG087R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG087R0NT
   Código: 087RONT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 492 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVG087R0NT Datasheet (PDF)

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SVG087R0NT

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:481K  silan
svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:420K  silan
svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:434K  silan
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

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