SVG087R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG087R0NT
Código: 087RONT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 492 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SVG087R0NT MOSFET
SVG087R0NT Datasheet (PDF)
svg083r6nal5.pdf

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3
Otros transistores... SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , AON6380 , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR .



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