SVG087R0NT - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG087R0NT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG087R0NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 492 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG087R0NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG087R0NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVG087R0NT

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , 8N60 , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR .

History: CS50N06F | CHM3055LAPAGP

 

 
Back to Top

 


 
.