SVG094R1NKL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG094R1NKL
Código: 094R1NKL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 98 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 866 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de SVG094R1NKL MOSFET
SVG094R1NKL Datasheet (PDF)
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Otros transistores... SVG085R9NT , SVG086R0NDTR , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , IRF830 , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT .
History: UF640L-TQ2-T
History: UF640L-TQ2-T



Liste
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