SVG094R1NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG094R1NSTR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 866 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVG094R1NSTR MOSFET
SVG094R1NSTR Datasheet (PDF)
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
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History: 10N65KG-TA3-T | MCAC75N02 | AP92T03GH-HF
History: 10N65KG-TA3-T | MCAC75N02 | AP92T03GH-HF
Liste
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