SVG094R1NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG094R1NSTR
Código: 094R1NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 219 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 90 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 98 nC
Tiempo de subida (tr): 34 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 866 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG094R1NSTR
SVG094R1NSTR Datasheet (PDF)
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SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
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SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
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History: S10H18S