SVG094R1NSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG094R1NSTR
   Маркировка: 094R1NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 219 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 90 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 98 nC
   Время нарастания (tr): 34 ns
   Выходная емкость (Cd): 866 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .