SVG094R1NSTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVG094R1NSTR
   Маркировка: 094R1NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 98 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 866 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам