FDP19N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP19N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP19N40

FDP19N40 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K fairchild semi
fdp19n40 fdpf19n40.pdf

October UniFETTMFDP19N40 / FDPF19N40tmN-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Features Description RDS(on) =0.2 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 9.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Gate Charge ( Typ. 32nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 20pF)This advanced technology has been

..2. Size:681K onsemi
fdp19n40.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

..3. Size:262K inchange semiconductor
fdp19n40.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP19N40FEATURESDrain Current : I = 19A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 240V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 240m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

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Liste

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