SVG104R5NS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVG104R5NS6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 864 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG104R5NS6

SVG104R5NS6 Datasheet (PDF)

..1. Size:413K silan
svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

4.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

7.1. Size:385K silan
svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf