SVG108R5NAM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG108R5NAM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO251 TO220

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SVG108R5NAM datasheet

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SVG108R5NAM

SVG108R5NAL5 80A 100V N S D 1 SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

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