SVG108R5NAM Todos los transistores

 

SVG108R5NAM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG108R5NAM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG108R5NAM

 

SVG108R5NAM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf

SVG108R5NAM
SVG108R5NAM

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1

 0.1. Size:347K  silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf

SVG108R5NAM
SVG108R5NAM

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:317K  silan
svg108r5nad.pdf

SVG108R5NAM
SVG108R5NAM

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

 4.2. Size:558K  silan
svg108r5nal5.pdf

SVG108R5NAM
SVG108R5NAM

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


SVG108R5NAM
  SVG108R5NAM
  SVG108R5NAM
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top