SVG108R5NAM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG108R5NAM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO220
Аналог (замена) для SVG108R5NAM
SVG108R5NAM Datasheet (PDF)
..1. Size:333K silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf
svg108r5nam svg108r5nat.pdf
SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
0.1. Size:347K silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf
svg108r5namq svg108r5namj.pdf
SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
4.2. Size:558K silan
svg108r5nal5.pdf
svg108r5nal5.pdf
SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... SVG104R5NSTR , SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , 50N06 , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS .
History: CS55N10 | IRFSZ14A | SWN3N80D | FIR20N65FG | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402
History: CS55N10 | IRFSZ14A | SWN3N80D | FIR20N65FG | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567