SVG15670ND Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG15670ND 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Encapsulados: TO252
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Búsqueda de reemplazo de SVG15670ND MOSFET
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SVG15670ND datasheet
svg15670nsa.pdf
SVG15670NSA 4.1A 150V N 5 6 7 8 4. SVG15670NSA N MOS 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4
svg15670nl5.pdf
SVG15670NL5 25A 150V N S D 1 SVG15670NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6
Otros transistores... SVG105R4NT, SVG105R5NT, SVG108R5NAD, SVG108R5NAL5, SVG108R5NAM, SVG108R5NAMJ, SVG108R5NAMQ, SVG108R5NAT, IRF1404, SVG15670NL5, SVG15670NSA, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, SVGP082R6NL5A, SVGP103R0NP7
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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