Справочник MOSFET. SVG15670ND

 

SVG15670ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG15670ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVG15670ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG15670ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  silan
svg15670nd.pdfpdf_icon

SVG15670ND

SVG15670ND 23A150V N 2SVG15670ND N MOS LVMOS 1

 5.1. Size:456K  silan
svg15670nsa.pdfpdf_icon

SVG15670ND

SVG15670NSA 4.1A150V N 5 6 7 8 4. SVG15670NSA N MOS 123. LVMOS 5678. 4

 5.2. Size:475K  silan
svg15670nl5.pdfpdf_icon

SVG15670ND

SVG15670NL5 25A150V N S D1SVG15670NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

Другие MOSFET... SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , IRF1404 , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 .

History: STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | FDS6680S | PK5G6EA

 

 
Back to Top

 


 
.