SVG15670ND datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG15670ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG15670ND 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG15670ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:493K silan
svg15670nd.pdf pdf_icon

5.1. Size:456K silan
svg15670nsa.pdf pdf_icon

SVG15670NSA 4.1A 150V N 5 6 7 8 4. SVG15670NSA N MOS 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4

5.2. Size:475K silan
svg15670nl5.pdf pdf_icon

SVG15670NL5 25A 150V N S D 1 SVG15670NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6