SVG15670ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG15670ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVG15670ND
SVG15670ND Datasheet (PDF)
5.1. Size:456K silan
svg15670nsa.pdf
svg15670nsa.pdf
SVG15670NSA 4.1A150V N 5 6 7 8 4. SVG15670NSA N MOS 123. LVMOS 5678. 4
5.2. Size:475K silan
svg15670nl5.pdf
svg15670nl5.pdf
SVG15670NL5 25A150V N S D1SVG15670NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , IRF1404 , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 .
History: FC6B22160L | FTK8205A | BUK7K89-100E | RJK5026DPP-M0 | BUK7Y07-30B | IXTH200N085T
History: FC6B22160L | FTK8205A | BUK7K89-100E | RJK5026DPP-M0 | BUK7Y07-30B | IXTH200N085T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet