SVGP069R5NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP069R5NSA
Código: P069R5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 54 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 432 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP069R5NSA
SVGP069R5NSA Datasheet (PDF)
svgp069r5nsa.pdf
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SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4
svgp02r58nl5.pdf
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SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp082r6nl5a.pdf
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SVGP082R6NL5A 100A80V N S D18SVGP082R6NL5A N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp03100ncs.pdf
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SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1
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