SVGP069R5NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP069R5NSA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 432 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SVGP069R5NSA MOSFET
SVGP069R5NSA Datasheet (PDF)
svgp069r5nsa.pdf

SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4
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svgp082r6nl5a.pdf

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History: RQK0202RGDQA | IXTY1N80 | AM6411P | IRF7484Q | BSC072N04LD | PTD12N10 | SM3106NSU
History: RQK0202RGDQA | IXTY1N80 | AM6411P | IRF7484Q | BSC072N04LD | PTD12N10 | SM3106NSU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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