SVGP069R5NSA - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVGP069R5NSA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVGP069R5NSA
   Маркировка: P069R5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
   Время нарастания (tr): 54 ns
   Выходная емкость (Cd): 432 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SVGP069R5NSA