SVGP082R6NL5A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP082R6NL5A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 847 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Encapsulados: PDFN8-5X6
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Búsqueda de reemplazo de SVGP082R6NL5A MOSFET
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SVGP082R6NL5A datasheet
svgp069r5nsa.pdf
SVGP069R5NSA 14A 60V N 5 6 7 8 SVGP069R5NSA N MOS 4. 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4
svgp02r58nl5.pdf
SVGP02R58NL5 294A 25V N S D 1 SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6
svgp066r1nl5.pdf
SVGP066R1NL5 71A 60V N SVGP066R1NL5 N MOS S D 1 8 LVMOS S D 2 7 D
Otros transistores... SVG108R5NAT, SVG15670ND, SVG15670NL5, SVG15670NSA, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, IRF3710, SVGP103R0NP7, SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5, SVGP104R5NAS, SVGP104R5NASTR, SVGP104R5NAT, SVGP104R5NS, SVGP104R5NSTR
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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