SVGP082R6NL5A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVGP082R6NL5A
   Маркировка: P082R6N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 83 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 847 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам