SVGP082R6NL5A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVGP082R6NL5A
Маркировка: P082R6N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
trⓘ - Время нарастания: 83 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 847 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
Аналог (замена) для SVGP082R6NL5A
SVGP082R6NL5A Datasheet (PDF)
svgp082r6nl5a.pdf
SVGP082R6NL5A 100A80V N S D18SVGP082R6NL5A N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp069r5nsa.pdf
SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4
svgp02r58nl5.pdf
SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp03100ncs.pdf
SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100