SVGP103R0NP7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP103R0NP7
Código: P103R0NP7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 VQgⓘ - Carga de la puerta: 145 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1188 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7 Datasheet (PDF)
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
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SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf
SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
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SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3
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