SVGP103R0NP7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP103R0NP7  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1188 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVGP103R0NP7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP103R0NP7 даташит

 ..1. Size:488K  silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdfpdf_icon

SVGP103R0NP7

SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

 8.1. Size:411K  silan
svgp107r0nl5.pdfpdf_icon

SVGP103R0NP7

SVGP107R0NL5 90A 100V N S D 1 8 SVGP107R0NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6

 8.2. Size:557K  silan
svgp104r1nl5.pdfpdf_icon

SVGP103R0NP7

 8.3. Size:326K  silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdfpdf_icon

SVGP103R0NP7

Другие IGBT... SVG15670ND, SVG15670NL5, SVG15670NSA, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, SVGP082R6NL5A, 10N60, SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5, SVGP104R5NAS, SVGP104R5NASTR, SVGP104R5NAT, SVGP104R5NS, SVGP104R5NSTR, SVGP104R5NT