SVGP103R0NP7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGP103R0NP7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1188 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7 Datasheet (PDF)
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf

SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r1nl5.pdf

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
Другие MOSFET... SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , IRFB4227 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , SVGP104R5NASTR , SVGP104R5NAT , SVGP104R5NS , SVGP104R5NSTR , SVGP104R5NT .
History: NCE6602N | 30N06-TO252 | GSM2312 | FMV09N90E | CTN04PN035 | 2SK2660 | 2SK3305
History: NCE6602N | 30N06-TO252 | GSM2312 | FMV09N90E | CTN04PN035 | 2SK2660 | 2SK3305



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent