SVGP103R0NP7 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVGP103R0NP7 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1188 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVGP103R0NP7
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVGP103R0NP7 даташит
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf
SVGP107R0NL5 90A 100V N S D 1 8 SVGP107R0NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6
Другие IGBT... SVG15670ND, SVG15670NL5, SVG15670NSA, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, SVGP082R6NL5A, 10N60, SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5, SVGP104R5NAS, SVGP104R5NASTR, SVGP104R5NAT, SVGP104R5NS, SVGP104R5NSTR, SVGP104R5NT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent





