Справочник MOSFET. SVGP103R0NP7

 

SVGP103R0NP7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVGP103R0NP7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1188 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SVGP103R0NP7

 

 

SVGP103R0NP7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:488K  silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf

SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

 8.1. Size:411K  silan
svgp107r0nl5.pdf

SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7

SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.2. Size:557K  silan
svgp104r1nl5.pdf

SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.3. Size:326K  silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf

SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1

 8.4. Size:359K  silan
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf

SVGP103R0NP7
SVGP103R0NP7

SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , IRF640N , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top