SVGP103R0NP7 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVGP103R0NP7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVGP103R0NP7
   Маркировка: P103R0NP7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 278 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 145 nC
   Время нарастания (tr): 65 ns
   Выходная емкость (Cd): 1188 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SVGP103R0NP7