SVGP104R5NAS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP104R5NAS 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 829 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Encapsulados: TO263
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SVGP104R5NAS datasheet
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
Otros transistores... SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, SVGP082R6NL5A, SVGP103R0NP7, SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5, 2N7000, SVGP104R5NASTR, SVGP104R5NAT, SVGP104R5NS, SVGP104R5NSTR, SVGP104R5NT, SVGP107R0NL5, SVGP15110NL5, SVGP15140NL5A
History: NTLJS3113PT1G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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